?【精選】圖文分析SiC MOSFET高頻振蕩-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-04-14
SiC MOSFET由于開關(guān)速度快，在大電流大電壓工作條件下，開關(guān)瞬態(tài)會產(chǎn)生非常高的電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt，因此其對功率回路的寄生參數(shù)非常敏感，容易產(chǎn)生嚴(yán)重的高頻振蕩。研究發(fā)現(xiàn)，SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關(guān)斷瞬態(tài)的電壓上升階段和電流下降階段這四處。
從上述分析可知，無論是電流還是電壓，開關(guān)瞬態(tài)的高頻振蕩都與寄生參數(shù)密切相關(guān)，這就需要在實際應(yīng)用場景中正確選擇驅(qū)動?xùn)艠O電阻和外加電容來減小電壓電流變化率，或者添加適當(dāng)?shù)腞C阻尼電路等，減小高頻振蕩的影響。
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