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050N08,85v120a場(chǎng)效應(yīng)管,KCX050N08N參數(shù)引腳圖-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2025-07-07 

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050N08,85v120a場(chǎng)效應(yīng)管,KCX050N08N參數(shù)引腳圖-KIA MOS管


050N08,85v120a場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

KCX050N08N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V,漏極電流120A ,采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造,極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 4.6mΩ,卓越的QgxRDS(on)產(chǎn)品(FOM),減少開(kāi)關(guān)損耗,提高效率;符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),100%DVDS測(cè)試、100%雪崩測(cè)試,確??煽啃院头€(wěn)定性,在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、電池管理、不間斷電源(UPS)中廣泛應(yīng)用;封裝形式:TO-263、TOLL-8,散熱良好。

050N08,85v120a場(chǎng)效應(yīng)管

050N08,85v120a場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓:85V

漏極電流:120A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:480A

單脈沖雪崩能量:144MJ

功率耗散:174W

閾值電壓:3V

總柵極電荷:55nC

輸入電容:3086PF

輸出電容:1057PF

反向傳輸電容:26PF

開(kāi)通延遲時(shí)間:20.1nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:45.1nS

上升時(shí)間:38.9ns

下降時(shí)間:22.8ns

050N08,85v120a場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書

050N08,85v120a場(chǎng)效應(yīng)管

050N08,85v120a場(chǎng)效應(yīng)管


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