60v pmos管,3606場效應管,-60v-60a,KPD3606A參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-28
KPD3606A P溝道場效應管漏源擊穿電壓-60V，漏極電流-60A，采用先進的高單元密度溝槽制造，極低導通電阻RDS（ON）11.6mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，超低柵極電荷減少開關(guān)損耗；100% EAS保證，在雪崩擊穿條件下穩(wěn)定工作，堅固可靠，優(yōu)異的CdV/dt效應下降，提高器件的抗噪聲能力，綠色器件可用，廣泛應用于BLDC電機驅(qū)動器、電動焊機、高效SMPS中；封裝形式：TO-252，體積小、散熱出色。
漏源極電壓：-60V
漏極電流：-60A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-170A
雪崩能量單脈沖：330MJ
最大功耗：90W
總柵極電荷：86nC
閾值電壓：1-2.5V
輸入電容：4640PF
輸出電容：526PF
反向傳輸電容：240PF
開通延遲時間：20nS
關(guān)斷延遲時間：100nS
上升時間：15ns
下降時間：70ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
