速度飽和效應(yīng):在強電場環(huán)境下,載流子的漂移速度隨電場強度的增加而增加的幅度...速度飽和效應(yīng):在強電場環(huán)境下,載流子的漂移速度隨電場強度的增加而增加的幅度逐漸降低,并最終趨于飽和狀態(tài)的現(xiàn)象。
PC817光耦合器,由一個紅外發(fā)射二極管(IRLED)和一個與其光耦合的光電晶體管組...PC817光耦合器,由一個紅外發(fā)射二極管(IRLED)和一個與其光耦合的光電晶體管組成,具有隔離、放大和變換信號等功能,在電子電路中應(yīng)用廣泛。PC817利用光耦合效應(yīng)...
肖特基勢壘(Schottky Barrier),是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸,即具有...肖特基勢壘(Schottky Barrier),是指具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體接觸,即具有大的勢壘高度,以及摻雜濃度比導(dǎo)帶或價帶上態(tài)密度低的金屬-半導(dǎo)體接觸,就如同二極管...
LM741是一款通用運算放大器芯片,它具有通過兩個引腳進行零偏移調(diào)整的能力;被...LM741是一款通用運算放大器芯片,它具有通過兩個引腳進行零偏移調(diào)整的能力;被認為是電壓跟隨器電路的最合適選擇,因為沒有閂鎖;LM741的共模輸入電壓范圍也非常高...
MOS管是功率元器件,發(fā)熱量比較大,需要額外輔助散熱,可以保障MOS管不被燒壞,...MOS管是功率元器件,發(fā)熱量比較大,需要額外輔助散熱,可以保障MOS管不被燒壞,維護電子設(shè)備的穩(wěn)定。mos散熱片是一種給電器中的易發(fā)熱電子元件散熱的裝置,多由鋁...
這是一個常用的NMOS低側(cè)開關(guān),平時G極被電阻拉至GND電平,處于關(guān)閉狀態(tài)。當驅(qū)動...這是一個常用的NMOS低側(cè)開關(guān),平時G極被電阻拉至GND電平,處于關(guān)閉狀態(tài)。當驅(qū)動電壓高于GND時,MOS打開。