金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有...金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共...
于不同場(chǎng)合的遙控設(shè)備，發(fā)射電路的組成是不同的，如在近距離對(duì)家用電器或玩具進(jìn)...于不同場(chǎng)合的遙控設(shè)備，發(fā)射電路的組成是不同的，如在近距離對(duì)家用電器或玩具進(jìn)行遙控，發(fā)射電路輸出的功率只要10～20mW就夠了，沒(méi)有必要有中間放大級(jí)及高頻功率放...
三極管自鎖電路是利用三極管放大倍數(shù)以及正反饋效應(yīng)構(gòu)成的一種電路。在某些需要...三極管自鎖電路是利用三極管放大倍數(shù)以及正反饋效應(yīng)構(gòu)成的一種電路。在某些需要穩(wěn)定化輸出的場(chǎng)合，可以采用三極管自鎖電路來(lái)保證輸出的恒定。
閂鎖效應(yīng)是CMOS工藝所特有的寄生效應(yīng)，嚴(yán)重會(huì)導(dǎo)致電路的失效，甚至燒毀芯片。閂鎖效應(yīng)是CMOS工藝所特有的寄生效應(yīng)，嚴(yán)重會(huì)導(dǎo)致電路的失效，甚至燒毀芯片。
電路中C1是輸入耦合，C2是輸出耦合，耦合電容的大小及諧振頻率根據(jù)電路的信號(hào)頻...電路中C1是輸入耦合，C2是輸出耦合，耦合電容的大小及諧振頻率根據(jù)電路的信號(hào)頻率來(lái)選擇，如高頻0.001-0.1UF，音頻1-22UF，當(dāng)然這只是一參考值，主要根據(jù)實(shí)際調(diào)試...
KNX43100A場(chǎng)效應(yīng)管-漏源擊穿電壓高達(dá)1000V，漏極電流最大值為4A；RDS (on) = 2...KNX43100A場(chǎng)效應(yīng)管-漏源擊穿電壓高達(dá)1000V，漏極電流最大值為4A；RDS (on) = 2.2mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗，低反向傳輸電容，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)...
