襯底偏置效應(yīng)，就是當(dāng)襯底（body/substrate）和源（source）之間的電勢差Vbs不...襯底偏置效應(yīng)，就是當(dāng)襯底（body/substrate）和源（source）之間的電勢差Vbs不為零的時候，所產(chǎn)生的一些效應(yīng)的統(tǒng)稱。
KNH3625A具有低導(dǎo)通內(nèi)阻，抗沖擊能力強，可靠性高的特點，是一款能夠滿足工業(yè)級...KNH3625A具有低導(dǎo)通內(nèi)阻，抗沖擊能力強，可靠性高的特點，是一款能夠滿足工業(yè)級的場效應(yīng)管型號，能夠高效提升電路品質(zhì)。
如圖所示，Q9 柵極（G）通過100k電阻上拉到12V，源級（S）直接連接至12V電源側(cè)...如圖所示，Q9 柵極（G）通過100k電阻上拉到12V，源級（S）直接連接至12V電源側(cè)，漏極（D）連接到被控設(shè)備，被控設(shè)備兩端并聯(lián)二極管，用于關(guān)斷設(shè)備后，釋放被控設(shè)備...
1、Ib大約為1mA左右 2、Vbe＞0.7V（因此設(shè)計時，需保證Vbe＞0.7V，這個是導(dǎo)通...1、Ib大約為1mA左右 2、Vbe＞0.7V（因此設(shè)計時，需保證Vbe＞0.7V，這個是導(dǎo)通條件）；但三極管導(dǎo)通時Vbe= 0.7V左右
壓控：是指電壓作為控制信號，理想狀態(tài)下，對于MOS只要VGS的電壓滿足開啟要求(...壓控：是指電壓作為控制信號，理想狀態(tài)下，對于MOS只要VGS的電壓滿足開啟要求(Vth)，MOS管就導(dǎo)通
NMOS當(dāng)下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的...NMOS當(dāng)下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止，因為MOS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。
