KIA3710功率MOSFET是使用基于溝槽布局的工藝設(shè)計(jì)的與各種來(lái)源的標(biāo)準(zhǔn)零件相比，...KIA3710功率MOSFET是使用基于溝槽布局的工藝設(shè)計(jì)的與各種來(lái)源的標(biāo)準(zhǔn)零件相比，性能得到了提高。KIA3710在開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)，應(yīng)用開(kāi)關(guān)變換器、電機(jī)、繼電器高功率和...
串聯(lián)一個(gè)功率電阻，使得Inrush Current限制在VIN/R范圍，優(yōu)缺點(diǎn)也比較明顯，優(yōu)...串聯(lián)一個(gè)功率電阻，使得Inrush Current限制在VIN/R范圍，優(yōu)缺點(diǎn)也比較明顯，優(yōu)點(diǎn)是電路簡(jiǎn)單，成本低，但只適用于小電流場(chǎng)景（＜1A）
當(dāng)電燈在電路中工作時(shí)，如果突然啟動(dòng)馬達(dá)或者變壓器時(shí)，會(huì)出現(xiàn)電燈暗一下，此時(shí)...當(dāng)電燈在電路中工作時(shí)，如果突然啟動(dòng)馬達(dá)或者變壓器時(shí)，會(huì)出現(xiàn)電燈暗一下，此時(shí)電燈出現(xiàn)暗的情況就是因?yàn)轳R達(dá)或者變壓器啟動(dòng)時(shí)，在電路中產(chǎn)生較大Inrush Current
逆變器KNX9120A 200V40A產(chǎn)品特征 專有的新平面技術(shù) RDS（ON）= 50mΩ（典型值...逆變器KNX9120A 200V40A產(chǎn)品特征 專有的新平面技術(shù) RDS（ON）= 50mΩ（典型值）@ VGS = 10v 低門電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗 快速恢復(fù)體二極管
當(dāng)電源正接時(shí)，體二極管導(dǎo)通后，pmos導(dǎo)通，當(dāng)電源反接時(shí)，pmos的g為正，vgs大于...當(dāng)電源正接時(shí)，體二極管導(dǎo)通后，pmos導(dǎo)通，當(dāng)電源反接時(shí)，pmos的g為正，vgs大于0導(dǎo)致pmos不通，且體二極管也不通，保護(hù)了后級(jí)電路的影響。
上面圖中的電路有如下特點(diǎn)： 1.只用了一個(gè)單元的比較器來(lái)完成欠壓和過(guò)壓保護(hù)功...上面圖中的電路有如下特點(diǎn)： 1.只用了一個(gè)單元的比較器來(lái)完成欠壓和過(guò)壓保護(hù)功能，所以相對(duì)于用二個(gè)比較器的電路來(lái)講，比較簡(jiǎn)單。
