當(dāng)左端VCC上電時(shí)，由于C1通過(guò)R1充電（電容兩端電壓不能突變），導(dǎo)致R1兩端電壓...當(dāng)左端VCC上電時(shí)，由于C1通過(guò)R1充電（電容兩端電壓不能突變），導(dǎo)致R1兩端電壓為高電平，此時(shí)MOS管閾值電壓尚未達(dá)到，所以MOS管為關(guān)閉狀態(tài)。
如下圖所示，輸入電壓加于RC串聯(lián)電路兩端，輸出電壓取自于電阻R或電容C。由于電...如下圖所示，輸入電壓加于RC串聯(lián)電路兩端，輸出電壓取自于電阻R或電容C。由于電容的特殊性質(zhì)，對(duì)下圖(a)和(b)不同的輸出電壓取法，呈現(xiàn)出不同的頻率特性。
在電路設(shè)計(jì)中經(jīng)常會(huì)用到將電阻和電容正極連接，電阻另一端接上電源，電容負(fù)極接...在電路設(shè)計(jì)中經(jīng)常會(huì)用到將電阻和電容正極連接，電阻另一端接上電源，電容負(fù)極接地。電阻和電容連接點(diǎn)為功能點(diǎn)，常用于延時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管或是使能IC。
參數(shù)說(shuō)明： 3.3指芯片EN引腳最大電壓，本案例中3.3V弱上拉，可認(rèn)為3.3V是EN引...參數(shù)說(shuō)明： 3.3指芯片EN引腳最大電壓，本案例中3.3V弱上拉，可認(rèn)為3.3V是EN引腳最大電壓 1.2指芯片EN引腳使能電壓，本案例取典型值1.2V
圖1的延時(shí)時(shí)間通過(guò)C250,C251,R90來(lái)調(diào)整，VBUS斷開(kāi)后利用C250,C251儲(chǔ)存的電壓，...圖1的延時(shí)時(shí)間通過(guò)C250,C251,R90來(lái)調(diào)整，VBUS斷開(kāi)后利用C250,C251儲(chǔ)存的電壓，來(lái)給Q2的柵極提供高電平，使Q2暫時(shí)無(wú)法導(dǎo)通。隨著C250,C251的電壓逐漸降低，Q2的VGS...
當(dāng)gs兩端接上開(kāi)通電壓，如果沒(méi)有電阻Rg，會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩，因此必須增加?xùn)艠O電...當(dāng)gs兩端接上開(kāi)通電壓，如果沒(méi)有電阻Rg，會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩，因此必須增加?xùn)艠O電阻Rg消除這種振蕩，但是電阻也不宜過(guò)大，過(guò)大的電阻會(huì)使開(kāi)通時(shí)間過(guò)慢，開(kāi)關(guān)損耗增加...
