在開(kāi)關(guān)管VT飽和導(dǎo)通期間，C1正極的直流電壓Ui經(jīng)過(guò)L→VT→C2正極→C2負(fù)極充電。...在開(kāi)關(guān)管VT飽和導(dǎo)通期間，C1正極的直流電壓Ui經(jīng)過(guò)L→VT→C2正極→C2負(fù)極充電。一方面使C2兩端建立直流電壓，另一方面使儲(chǔ)能電感L中的磁能不斷增大。當(dāng)開(kāi)關(guān)管VT截止...
mos管不能完全關(guān)斷可能由多種原因造成，如驅(qū)動(dòng)電壓不足、柵極電阻過(guò)大、溫度過(guò)...mos管不能完全關(guān)斷可能由多種原因造成，如驅(qū)動(dòng)電壓不足、柵極電阻過(guò)大、溫度過(guò)高等。 ?漏電流?：MOSFET存在漏電流，即使是在關(guān)斷狀態(tài)下，仍然會(huì)有微小的電流流...
SOP-8（Small Outline Package）和SOIC-8（Small Outline Integrated Circuit）...SOP-8（Small Outline Package）和SOIC-8（Small Outline Integrated Circuit）都是常見(jiàn)的集成電路封裝類型，它們都具有8個(gè)引腳，適用于表面貼裝技術(shù)。在尺寸和引...
開(kāi)啟電壓（VT）?：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓。標(biāo)準(zhǔn)...開(kāi)啟電壓（VT）?：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓。標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管的開(kāi)啟電壓約為3～6V，通過(guò)工藝改進(jìn)可以使VT值降到2～3V。
KIA60R070HS場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)技術(shù)特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)電損失，提供卓...KIA60R070HS場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)技術(shù)特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)電損失，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并能夠承受雪崩和換向模式的高能脈沖，非常適合AC/DC功率轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)模式...
線性電阻是一條過(guò)原點(diǎn)的直線，如下圖中綠色線所示，該直線上各點(diǎn)的斜率（電阻）...線性電阻是一條過(guò)原點(diǎn)的直線，如下圖中綠色線所示，該直線上各點(diǎn)的斜率（電阻）相等；非線性電阻則不然，如圖所示紅色線，是一條半導(dǎo)體二極管元件的伏安特性曲線，...
