NMOS的導(dǎo)通條件是當(dāng)柵極和源極之間的電壓（Vgs）大于或等于閾值電壓（Vth）時(shí)。...NMOS的導(dǎo)通條件是當(dāng)柵極和源極之間的電壓（Vgs）大于或等于閾值電壓（Vth）時(shí)。閾值電壓是一個(gè)特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導(dǎo)通。一旦Vgs大于或等于Vth，NMO...
固定端A接電源正極（+V）或信號(hào)源。 中間滑動(dòng)端W接輸出端，用于獲取與滑動(dòng)位置...固定端A接電源正極（+V）或信號(hào)源。 中間滑動(dòng)端W接輸出端，用于獲取與滑動(dòng)位置成比例的電壓。 固定端B接地（GND）或電源負(fù)極（-V）。 這樣，滑動(dòng)端W的電壓將隨...
中間繼電器可以控制交流負(fù)載的接通和斷開(kāi)。 接線(xiàn)方法是：將中間繼電器的線(xiàn)圈接...中間繼電器可以控制交流負(fù)載的接通和斷開(kāi)。 接線(xiàn)方法是：將中間繼電器的線(xiàn)圈接入控制電路中，將負(fù)載接入交流電源，并將中間繼電器的常開(kāi)觸點(diǎn)接入負(fù)載的控制電路中...
MOSFET在柵極-漏極、柵極-源極和漏極-源極之間具有電容，Ciss為輸入電容，Crss...MOSFET在柵極-漏極、柵極-源極和漏極-源極之間具有電容，Ciss為輸入電容，Crss為反饋電容，Coss為輸出電容。電容會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。
當(dāng)磁場(chǎng)作用在半導(dǎo)體上時(shí)，電子會(huì)垂直于電流方向發(fā)生側(cè)向偏轉(zhuǎn)，一側(cè)分布電子多，...當(dāng)磁場(chǎng)作用在半導(dǎo)體上時(shí)，電子會(huì)垂直于電流方向發(fā)生側(cè)向偏轉(zhuǎn)，一側(cè)分布電子多，一側(cè)分布電子少，由此產(chǎn)生霍爾電壓，指針偏轉(zhuǎn)。如果磁場(chǎng)被中斷，電子會(huì)重新均勻分布...
阻抗匹配指通過(guò)調(diào)整輸入阻抗和輸出阻抗來(lái)使得電子器件滿(mǎn)足一定條件，通常該條件...阻抗匹配指通過(guò)調(diào)整輸入阻抗和輸出阻抗來(lái)使得電子器件滿(mǎn)足一定條件，通常該條件是使得系統(tǒng)傳輸功率最大或者使得信號(hào)反射最小。例如，再無(wú)線(xiàn)傳輸系統(tǒng)中需要匹配射頻...
