Varactor電容，也稱為?變?nèi)荻O管，其電容值可以根據(jù)外加電壓的變化而改變。變...Varactor電容，也稱為?變?nèi)荻O管，其電容值可以根據(jù)外加電壓的變化而改變。變?nèi)荻O管又稱“可變電抗二極管”，是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特...
壓敏電阻雖然能吸收很大的浪涌電能量，但不能承受毫安級(jí)以上的持續(xù)電流，在用作...壓敏電阻雖然能吸收很大的浪涌電能量，但不能承受毫安級(jí)以上的持續(xù)電流，在用作過(guò)壓保護(hù)時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。壓敏電阻的選用，一般選擇標(biāo)稱壓敏電壓V1mA和通流容量...
電阻從大到小的單位排列：MΩ（兆歐）、kΩ（千歐）、Ω（歐）、mΩ（毫歐）、...電阻從大到小的單位排列：MΩ（兆歐）、kΩ（千歐）、Ω（歐）、mΩ（毫歐）、μΩ（微歐）。 電阻換算關(guān)系：1TΩ＝1000GΩ；1GΩ＝1000MΩ；1MΩ＝1000KΩ；1KΩ...
對(duì)于同相比例放大電路來(lái)說(shuō)，輸入負(fù)電壓部分沒有輸出，因此我們要讓輸入負(fù)電壓時(shí)...對(duì)于同相比例放大電路來(lái)說(shuō)，輸入負(fù)電壓部分沒有輸出，因此我們要讓輸入負(fù)電壓時(shí)輸入到運(yùn)放中仍然為正，為此我們需要在同相輸入端疊加一個(gè)直流分量，這樣就可以與來(lái)...
MOS管是一種場(chǎng)效應(yīng)管，由柵極、漏極和源極組成，柵極和漏極之間是一個(gè)p型或n型...MOS管是一種場(chǎng)效應(yīng)管，由柵極、漏極和源極組成，柵極和漏極之間是一個(gè)p型或n型溝道。而IGBT是由一個(gè)n型溝道和一個(gè)pnp結(jié)構(gòu)組成，它由一個(gè)門極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)...
MOS管具有高輸入阻抗、低噪聲、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字電路中。其...MOS管具有高輸入阻抗、低噪聲、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字電路中。其中，柵極電阻是MOS管中一個(gè)重要的參數(shù)，它對(duì)MOS管的性能和特性有著重要的影響。 柵...
