碳化硅mos管工作頻率是多少,SiC碳化硅-KIA MOS管

碳化硅mos管工作頻率

碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達1MHz甚至更高，高頻特性顯著優(yōu)于傳統(tǒng)器件。

傳統(tǒng)MOSFET與碳化硅MOSFET的頻率對比

傳統(tǒng)MOSFET

工作頻率：約60kHz

限制因素：受材料特性與寄生參數影響，難以突破MHz級別。

碳化硅MOSFET

工作頻率：可達1MHz甚至更高（如國產1200V型號內阻13mmΩ的產品可穩(wěn)定運行在1MHz以上）。

優(yōu)勢：高頻特性使其在電源系統(tǒng)中可顯著減小電容、電感體積，降低成本并實現小型化設計。

高頻特性應用

1.效率提升：高頻開關可減少導通損耗，例如在100kHz時效率仍超95%，遠超傳統(tǒng)硅基器件。

2.散熱優(yōu)化：高頻開關降低導通時間，減少對散熱片依賴，延長設備壽命。

3.場景適配：新能源汽車充電樁、軌道交通等需高頻響應的電力電子系統(tǒng)。對比IGBT（工作頻率通常低于40kHz），碳化硅MOSFET更適合高頻開關場景。

SiC碳化硅MOS管

碳化硅是第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

碳化硅mos管工作頻率

碳化硅MOSFET具有高頻高效，高耐壓，高可靠性。可以實現節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度等特性，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網等領域具有明顯優(yōu)勢

與Si 材料相比，碳化硅材料較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC 器件的高擊穿場強和高工作溫度。尤其在SiC MOSFET 的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET 導通電阻、開關損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。

碳化硅MOSFET結構

碳化硅mos管工作頻率