一種方法直接看工藝庫(kù)參數(shù)，但是現(xiàn)在的工藝庫(kù)是基于BSIM，參數(shù)超級(jí)多，有考慮到...一種方法直接看工藝庫(kù)參數(shù)，但是現(xiàn)在的工藝庫(kù)是基于BSIM，參數(shù)超級(jí)多，有考慮到很多二級(jí)效應(yīng)。如果直接用工藝庫(kù)的參數(shù)vth0，UnCox來(lái)計(jì)算的話，會(huì)發(fā)現(xiàn)計(jì)算的值和仿...
1.作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止mos管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至擊穿mos管（因...1.作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止mos管產(chǎn)生誤動(dòng)作，甚至擊穿mos管（因?yàn)橹灰猩倭康撵o電便會(huì)使mos管的G-S極間的等效電容產(chǎn)生很高的電壓），起到了保護(hù)mo...
MOS管柵極與源極加電阻作用 1、為MOSFET提供一個(gè)供電，經(jīng)過(guò)電阻分壓從而得到分...MOS管柵極與源極加電阻作用 1、為MOSFET提供一個(gè)供電，經(jīng)過(guò)電阻分壓從而得到分壓值，也即所謂的提供一個(gè)偏置電壓；
該應(yīng)用指南中由 Eq.6 得到了門極電流 i(t)i(t) 不振蕩的阻尼條件 Eq.7，并以此...該應(yīng)用指南中由 Eq.6 得到了門極電流 i(t)i(t) 不振蕩的阻尼條件 Eq.7，并以此得出了電流波形不振蕩的最小門極電阻的計(jì)算公式。
輸入阻抗：通過(guò)在輸入端加上一個(gè)電壓源U，測(cè)試輸入端的電流I，則輸入阻抗Rin=U...輸入阻抗：通過(guò)在輸入端加上一個(gè)電壓源U，測(cè)試輸入端的電流I，則輸入阻抗Rin=U/I。輸入阻抗越大越好，電阻越大，可以得到的分壓越大，驅(qū)動(dòng)能力越強(qiáng)。輸入阻抗越大...
nmos管的輸出電阻可以將柵端接地，在漏端加一個(gè)直流電壓，測(cè)量Id ，然后作兩者...nmos管的輸出電阻可以將柵端接地，在漏端加一個(gè)直流電壓，測(cè)量Id ，然后作兩者之間的比值即為漏端輸出電阻。
