當(dāng)電壓采樣速率低和要求低時(shí)，左邊電路圖即可滿足；當(dāng)采樣速率和精度要求比較高...當(dāng)電壓采樣速率低和要求低時(shí)，左邊電路圖即可滿足；當(dāng)采樣速率和精度要求比較高時(shí)，采用右邊電路。
板卡供電電源為DC_12V，DC_12V經(jīng)MP2307降壓到5V，給板卡其他功能電路供電。同時(shí)...板卡供電電源為DC_12V，DC_12V經(jīng)MP2307降壓到5V，給板卡其他功能電路供電。同時(shí)板卡上有一超級(jí)電容SCB作為備用電源，當(dāng)DC_12V突然掉電時(shí)，可繼續(xù)由SCB供電，保證數(shù)...
當(dāng)我們不檢測(cè)電池包電壓時(shí)，我們希望電池包的電消耗很慢。所以，我們讓對(duì)應(yīng)單片...當(dāng)我們不檢測(cè)電池包電壓時(shí)，我們希望電池包的電消耗很慢。所以，我們讓對(duì)應(yīng)單片機(jī) IO 口輸出低電平時(shí)，此時(shí)NMOS管不能導(dǎo)通，表現(xiàn)為一個(gè)很大的電阻，最大程度減少電...
此處是低端電流取樣檢測(cè)，根據(jù)運(yùn)放的虛短和虛短的原則，V-=V+；有(Vout-V-)/R=...此處是低端電流取樣檢測(cè)，根據(jù)運(yùn)放的虛短和虛短的原則，V-=V+；有(Vout-V-)/R=V-/R1; 這里整理公式：VOUT=V+*（R+R1）/R1. 然后我們算V+=mos流過電阻電流*R2 ，整...
假設(shè)上圖中Vcc為48V，R1 = 47K，R2 = 1K。則根據(jù)電阻分壓，Vi = 48 * （1/48）...假設(shè)上圖中Vcc為48V，R1 = 47K，R2 = 1K。則根據(jù)電阻分壓，Vi = 48 * （1/48）=1V。因?yàn)樘摱蹋篤+ = V-。 （式1）
KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)...KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼...
