施加正向電壓：當晶閘管的陽極和陰極之間施加正向電壓時，晶閘管并不會立即導通...施加正向電壓：當晶閘管的陽極和陰極之間施加正向電壓時，晶閘管并不會立即導通。 觸發(fā)信號注入：此時，需要在門極和陰極之間注入一個正向觸發(fā)脈沖信號。 晶閘管...
KNF6140S場效應管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導通電阻RDS(on)=0.53Ω...KNF6140S場效應管漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，極低導通電阻RDS(on)=0.53Ω，低柵極電荷15.7nC，可最大限度地減少導電損失；具有高堅固性、快速切換、100%雪崩...
它在B處提供一系列窄脈沖，當電容充電到UT的峰值電壓(V_)時，UJT開啟。這會在發(fā)...它在B處提供一系列窄脈沖，當電容充電到UT的峰值電壓(V_)時，UJT開啟。這會在發(fā)射極–基極1結(jié)上放置一個低電阻，并且發(fā)射極電流流過脈沖變壓器的初級，將柵極信號...
分立器件 結(jié)構(gòu)：在硅片上通過摻雜、擴散等工藝形成，通常只有一個或少數(shù)幾個P...分立器件 結(jié)構(gòu)：在硅片上通過摻雜、擴散等工藝形成，通常只有一個或少數(shù)幾個PN結(jié)。 功能：具有單獨功能的電子器件，如二極管、晶體管等。
KND6610A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流15A，?采用先進的平面溝槽技術，...KND6610A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流15A，?采用先進的平面溝槽技術，極低導通電阻RDS(on)=83mΩ，可最大限度地減少導電損失，提供卓越的開關性能，并能夠...
在設計驅(qū)動變壓器時，其關鍵電氣參數(shù)中的兩個參數(shù)(漏電感值和繞組電容量)是需要...在設計驅(qū)動變壓器時，其關鍵電氣參數(shù)中的兩個參數(shù)(漏電感值和繞組電容量)是需要控制的。因為大的漏電感值和繞組電容量可能引起諸如相位漂移、時間誤差、噪聲和上沖...
