1.晶圓制備 硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素，而脫氧后的沙子（尤其是石英）最多包含...1.晶圓制備 硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素，而脫氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO?)的形式存在，這也是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。
導(dǎo)通條件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是為了給G、S之間創(chuàng)造一個(gè)Vgs電壓，不需要去...導(dǎo)通條件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是為了給G、S之間創(chuàng)造一個(gè)Vgs電壓，不需要去關(guān)心G、D之間的電壓關(guān)系（只要沒有達(dá)到擊穿電壓）。另外S極不一定需要接地，只需要滿...
當(dāng)柵極（G）接高電平時(shí)，源極（S）和漏極（D）之間的導(dǎo)電通道被打開，電流可以...當(dāng)柵極（G）接高電平時(shí)，源極（S）和漏極（D）之間的導(dǎo)電通道被打開，電流可以通過；當(dāng)柵極接低電平時(shí)，導(dǎo)電通道被關(guān)閉，電流無法通過。因此，通過控制柵極的電平...
當(dāng)電池極性未接反時(shí)，D正偏導(dǎo)通，Q的GS極由電池正極經(jīng)過F、R1、D回到電池負(fù)極得...當(dāng)電池極性未接反時(shí)，D正偏導(dǎo)通，Q的GS極由電池正極經(jīng)過F、R1、D回到電池負(fù)極得到正偏而導(dǎo)通。Q導(dǎo)通后的壓降比D的壓降小得多，所以Q導(dǎo)通后會(huì)使D得不到足夠的正向電...
R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻，可以這么理解，高壓電流的大小...R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻，可以這么理解，高壓電流的大小基本上決定了輸出功率的大小，所以用R5檢測高壓電流的大小。圖中LM339的兩個(gè)比較器單...
IGBT是由一個(gè)N溝道的MOS管FET和一個(gè)PNP型GTR組成，以GTR為主導(dǎo)器件，MOS管為驅(qū)...IGBT是由一個(gè)N溝道的MOS管FET和一個(gè)PNP型GTR組成，以GTR為主導(dǎo)器件，MOS管為驅(qū)動(dòng)器件。GiantTransistor-GTR電力晶體管。這也導(dǎo)致其性能上與MOS管有所差異。注意區(qū)...
