IGBT是由一個(gè)N溝道的MOS管FET和一個(gè)PNP型GTR組成，以GTR為主導(dǎo)器件，MOS管為驅(qū)...IGBT是由一個(gè)N溝道的MOS管FET和一個(gè)PNP型GTR組成，以GTR為主導(dǎo)器件，MOS管為驅(qū)動(dòng)器件。GiantTransistor-GTR電力晶體管。這也導(dǎo)致其性能上與MOS管有所差異。注意區(qū)...
關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄...關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一...
保護(hù)作用：當(dāng)流過(guò)SD的電流過(guò)大時(shí)可以分流一部分；對(duì)于高速開關(guān)的場(chǎng)合，體二極管...保護(hù)作用：當(dāng)流過(guò)SD的電流過(guò)大時(shí)可以分流一部分；對(duì)于高速開關(guān)的場(chǎng)合，體二極管由于開通速度過(guò)慢，導(dǎo)致無(wú)法迅速開通，電流無(wú)法通過(guò)，進(jìn)而損壞MOS，因此并聯(lián)的二極...
勢(shì)壘高度的計(jì)算公式為：qVD=Wm-Ws，其中q為電子電荷量，V為反向偏置電壓，D為勢(shì)...勢(shì)壘高度的計(jì)算公式為：qVD=Wm-Ws，其中q為電子電荷量，V為反向偏置電壓，D為勢(shì)壘寬度，Wm為多數(shù)載流子能量，Ws為少數(shù)載流子能量。
電容是衡量電路中儲(chǔ)存電荷能力的物理量，常用的單位有法拉（F），較小的單位有...電容是衡量電路中儲(chǔ)存電荷能力的物理量，常用的單位有法拉（F），較小的單位有毫法拉（mF），微法拉（μF）和皮法拉（pF）。
當(dāng)輸入口的電壓小于等于GND-0.7時(shí)，二極管D1不導(dǎo)通，二極管D2導(dǎo)通，此時(shí)輸出口...當(dāng)輸入口的電壓小于等于GND-0.7時(shí)，二極管D1不導(dǎo)通，二極管D2導(dǎo)通，此時(shí)輸出口的電壓就會(huì)被鉗位在GND-0.7，無(wú)論輸入再小，輸出也不會(huì)變。
